Photoelectric properties of InAs/GaSb type-II superlattices

被引：0

作者：

Shi, Yanli ^{[1
]}

Li, Fan ^{[1
]}

Zhao, Lusheng ^{[1
]}

Xu, Wen ^{[2
]}

机构：

[1] Kunming Institute of Physics, Kunming 650223, China

[2] Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China

来源：

Hongwai yu Jiguang Gongcheng/Infrared and Laser Engineering | 2011年 / 40卷 / 06期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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