Electrical characterization of nonvolatile phase-change memory devices using Sb-rich Ge-Sb-Te alloy films

被引：0

作者：

Yoon, Sung-Min ^{[1
]}

Choi, Kyu-Jeong ^{[1
]}

Lee, Nam-Yeal ^{[1
]}

Lee, Seung-Yun ^{[1
]}

Park, Young-Sam ^{[1
]}

Yu, Byoung-Gon ^{[1
]}

机构：

[1] IT Convergence and Component Laboratory, Electronics and Telecommunications Research Institute, 161 Gajeong-dong, Yuseong-gu, Daejeon 305-350, Korea, Republic of

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 2007年 / 46卷 / 11期

关键词：

29;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Journal article (JA)

引用

页码：7225 / 7231