Annealing behavior of atomic layer deposited hafnium oxide on silicon: Changes at the interface

被引：0

作者：

Deshpande, Anand ^{[1
,2
]}

Inman, Ronald ^{[1
]}

Jursich, Gregory ^{[1
]}

Takoudis, Christos G. ^{[2
,3
]}

机构：

[1] American Air Liquide, Chicago Research Center, Countryside, IL 60525

[2] Department of Chemical Engineering, University of Illinois at Chicago, Chicago, IL 60607

[3] Department of Bioengineering, University of Illinois at Chicago, Chicago, IL 60607

来源：

Journal of Applied Physics | 2006年 / 99卷 / 09期

关键词：

Hafnium compounds;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Journal article (JA)

引用