Structural properties of heavily B-doped SiGe thin films for high thermoelectric power

被引：0

作者：

Department of Materials Science and Engineering, National Defense Academy, Yokosuka 239-8686, Japan ^{[1
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不详 ^{[2
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机构：

来源：

Mater. Trans. | / 5卷 / 878-881期

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Thin films

引用