Electronic properties of the ultrathin silicon nitride films fabricated with ammonia plasma prenitridation

被引：0

作者：

National Laboratory of Solid State Microstructures, Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China ^{[1
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机构：

来源：

Guti Dianzixue Yanjiu Yu Jinzhan | 2007年 / 4卷 / 468-471+492期

关键词：

13;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用