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Effect of tin on point defects and oxygen precipitation in Czochralski silicon: Experimental and theoretical studies
被引：0
作者：
机构：
[1] Gao, Chao
[2] Ma, Xiangyang
[3] Zhao, Jianjiang
[4] Yang, Deren
来源：
Ma, X. (mxyoung@zju.edu.cn)
|
1600年
/
American Institute of Physics Inc.卷
/
113期
关键词：
Point defects;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
Journal article (JA)
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