Temperature-dependent bimodal size evolution of InAs quantum dots on vicinal GaAs(100) substrates

被引：0

作者：

Liang, S. ^{[1
]}

Zhu, H.L. ^{[1
]}

Wang, W. ^{[1
]}

机构：

[1] National Research Center of Optoelectronic Technology, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Science, Beijing 100083, China

来源：

Journal of Applied Physics | 2006年 / 100卷 / 10期

关键词：

20;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Journal article (JA)

引用