Application of extremely thin ZrN film as diffusion barrier between Cu and SiOC

被引：0

作者：

Sato, Masaru ^{[1
]}

Takeyama, Mayumi B. ^{[1
]}

Aoyagi, Eiji ^{[2
]}

Noya, Atsushi ^{[1
]}

机构：

[1] Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Kitami Institute of Technology, Kitami, Hokkaido 090-8507, Japan

[2] Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics | 2008年 / 47卷 / 1 PART 2期

关键词：

12;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Journal article (JA)

引用

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