Study on the growth of lattice-matched ScAlMgO4 substrates for GaN and ZnO-based film epitaxy

被引：0

作者：

Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China ^{[1
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不详 ^{[2
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机构：

来源：

Rengong Jingti Xuebao | 2007年 / 3卷 / 612-616期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用