A low temperature Cu-Cu direct bonding method with VUV and HCOOH treatment for 3D integration

被引：0

作者：

Fujitsu Laboratories Ltd., 10-1 Morinosato-Wakamiya Atsugi, Kanagawa ^{[1
]}

243-0197, Japan

机构：

来源：

ICEP-IAAC - Int. Conf. Electron. Packag. iMAPS All Asia Conf. | / 464-467期

关键词：

D O I：

7111059

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Irradiation - Surface treatment - Crystal structure - Three dimensional integrated circuits - Copper - Diffusion in solids - Formic acid - Bonding - Binary alloys - Shear flow

引用