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Current oscillations and low-frequency noises in GaAs MESFET channels with sidegating bias
被引：0
作者：
Institute of VLSI Design, Zhejiang University, Hangzhou
[1
]
310027, China
机构：
来源：
J. Zhejiang Univ. Sci. C
|
/
7卷
/
597-603期
关键词：
Compendex;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
Gallium arsenide
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