Resistive switching AlOx-based memory with CNT electrode for ultra-low switching current and high density memory application

被引：0

作者：

Department of Electrical Engineering, Center for Integrated Systems, Stanford University, CA 94305, United States ^{[1
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不详 ^{[2
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机构：

来源：

Dig Tech Pap Symp VLSI Technol | 2011年 / 26-27期

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

RRAM

引用