X-ray scattering study of hydrogen implantation in silicon

被引：0

作者：

Sousbie, Nicolas ^{[1
]}

Capello, Luciana ^{[2
]}

Eymery, Jöl ^{[2
]}

Rieutord, Fraņois ^{[2
]}

Lagahe, Chrystelle ^{[3
]}

机构：

[1] SOITEC, Parc des Fontaines, F-38560 Bernin, France

[2] CEA, D̀�partement de Recherches Fondamentales sur la Matìre Condenśe, 17 rue des Martyrs, F-38054 Grenoble, France

[3] CEA-LETI, DIHS-LTFC, 17 rue des Martyrs, F-38054 Grenoble, France

来源：

Journal of Applied Physics | 2006年 / 99卷 / 10期

关键词：

Ion implantation;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Journal article (JA)

引用