Structural, optical and electrical properties of hydrogen-doped amorphous GaAs thin films

被引：5

作者：

State Key Lab on High Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China ^{[1
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不详 ^{[2
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机构：

来源：

Chin. Phys. Lett. | 2008年 / 3卷 / 1071-1074期

关键词：

Amorphous films - Gallium arsenide - Absorption spectroscopy - III-V semiconductors - Magnetron sputtering - Thin films - X ray diffraction - Semiconducting gallium - Distribution functions - Glass substrates - Image enhancement - Amorphous silicon;

D O I：

10.1088/0256-307X/25/3/072

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用