High-resolution X-ray analysis of graphene grown on 4H-SiC (0001)at low pressures

被引：0

作者：

机构：

[1] [1,Capano, Michael A.

[2] Capano, Benjamin M.

[3] 1,Morisette, Dallas T.

[4] Salleo, Alberto

[5] Lee, Sangwon

[6] Toney, Michael F.

来源：

Capano, Michael A. | 1600年 / Cambridge University Press卷 / 29期

关键词：

46;

D O I：

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