A 6-GHz dual-modulus prescaler using 180nm SiGe technology

被引：0

作者：

Institute of VLSI Design, Zhejiang University, Hangzhou, China ^{[1
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不详 ^{[2
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不详 ^{[3
]}

机构：

来源：

Int. Symp. Integr. Circuits, ISIC | 2011年 / 436-439期

关键词：

Compendex;

D O I：

6131990

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Energy efficiency

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