Resist reflow process simulation study for contact hole pattern

被引：5

作者：

School of Information, Communications, and Electronics Engineering, Catholic University of Korea, Bucheon 420-743, Korea, Republic of ^{[1
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机构：

来源：

J Vac Sci Technol B Microelectron Nanometer Struct | 2006年 / 1卷 / 200-204期

关键词：

D O I：

10.1116/1.2155530

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用