Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of InAs quantum dots grown on vicinal GaAs (100) substrates by using MOCVD

被引：5

作者：

National Research Center of Optoelectronic Technology, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China ^{[1
]}

机构：

来源：

Chin. Phys. | 2006年 / 5卷 / 1114-1119期

关键词：

20;

D O I：

10.1088/1009-1963/15/5/042

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用