Theoretical study on magnetoelectric and thermoelectric properties for graphene devices

被引：0

作者：

NTT Basic Research Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan ^{[1
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机构：

来源：

Jpn. J. Appl. Phys. | / 7 PART 1卷

关键词：

Compendex;

D O I：

070115

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Graphene

引用