Energy-dependent carrier relaxation in self-assembled InAs quantum dots

被引：0

作者：

Ling, H.S. ^{[1
]}

Lee, C.P. ^{[1
]}

Lo, M.C. ^{[1
]}

机构：

[1] Department of Electronic Engineering, National Chiao Tung University, 1001 Ta Hsueh Road, Hsinchu 300, Taiwan

来源：

Journal of Applied Physics | 2008年 / 103卷 / 12期

关键词：

Photoluminescence spectroscopy;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Journal article (JA)

引用