1.3 μm photoluminescence from multi-stacked InAs/GaAs quantum dot structure

被引：0

作者：

Liu, Ning ^{[1
]}

Jin, Peng ^{[1
]}

Wu, Ju ^{[1
]}

Wang, Zhanguo ^{[1
]}

机构：

[1] Key Laboratory of Semiconductor Material Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China

来源：

Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors | 2007年 / 28卷 / SUPPL.期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：215 / 217