Effect of dislocations on electrical and electron transport properties of InN thin films. II. Density and mobility of the carriers

被引：0

作者：

Lebedev, V. ^{[1
]}

Cimalla, V. ^{[1
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Baumann, T. ^{[1
]}

Ambacher, O. ^{[1
]}

Morales, F.M. ^{[2
,3
]}

Lozano, J.G. ^{[2
]}

González., D. ^{[2
]}

机构：

[1] Center for Micro- and Nanotechnologies, Technical University Ilmenau, D-98684 Ilmenau, Germany

[2] Departamento de Ciencia de Los Materiales e Ingenieria Metalurgica y Quimica Inorganica, Facultad de Ciencias, Universidad de Cádiz, 11510 Puerto Real, Cádiz, Spain

[3] Center for Micro- and Nanotechnolgies, TU-Ilmenau

来源：

Journal of Applied Physics | 2006年 / 100卷 / 09期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Journal article (JA)

引用