Effect of carbonization on the heteroepitaxial growth of SiC films on Si substrates

被引：0

作者：

Department of Physics, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China ^{[1
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机构：

来源：

Cailiao Yanjiu Xuebao | 2006年 / 3卷 / 231-234期

关键词：

Silicon carbide;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用