Transverse electric dominant intersubband absorption in Si-doped GaInAsNGaAs quantum wells

被引：0

作者：

Zhang, D.H. ^{[1
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Liu, W. ^{[1
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Sun, L. ^{[1
]}

Fan, W.J. ^{[1
]}

Yoon, S.F. ^{[1
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Wang, S.Z. ^{[1
]}

Liu, H.C. ^{[2
]}

机构：

[1] School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798, Singapore

[2] Institute for Microstructural Sciences, National Research Council, Ottawa, Ont. K1A 0R6, Canada

来源：

Journal of Applied Physics | 1600年 / 99卷 / 04期

关键词：

28;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Journal article (JA)

引用