Study on the reliability of NilAulAIGaN/GaN HEMTs at high temperature

被引：0

作者：

Beijing University of Technology, School of Electronic Information and Control Engineering, Beijing, China ^{[1
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机构：

来源：

Proc Int Symp Phys Failure Anal Integr Circuits IPFA | 1600年 / 352-355期

关键词：

Compendex;

D O I：

2009 16th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA 2009

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Drain current

引用