Body resistance model for Partially Depleted SOI device: charge-based approach, extraction and Verilog-A implementation

被引：0

作者：

Martinie, Sebastien ^{[1
]}

Vaysset, Adrien ^{[1
]}

Mourrier, Yannick ^{[2
]}

Scheer, Patrick ^{[2
]}

Rozeau, Olivier ^{[1
]}

机构：

[1] Univ. Grenoble Alpes, CEA, Leti, Grenoble,F-38000, France

[2] STMicroelectronics, Crolles, France

来源：

International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD | 2023年

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Silicon on insulator technology

引用

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