Coupling control in the few-electron regime of quantum dot arrays using 2-metal gate levels in CMOS technology

被引：0

作者：

Paz, B. Cardoso ^{[1
]}

El-Homsy, V. ^{[1
]}

Niegemann, D.J. ^{[1
]}

Klemt, B. ^{[1
]}

Chanrion, E. ^{[1
]}

Thiney, V. ^{[2
]}

Jadot, B. ^{[2
]}

Mortemousque, P.A. ^{[2
]}

Bertrand, B. ^{[2
]}

Bedecarrats, T. ^{[2
]}

Niebojewski, H. ^{[2
]}

Perruchot, F. ^{[2
]}

De Franceschi, S. ^{[3
]}

Vinet, M. ^{[2
]}

Urdampilleta, M. ^{[1
]}

Meunier, T. ^{[1
]}

机构：

[1] Institut Neel, Universite Grenoble Alpes, Grenoble, France

[2] CEA-Leti, Universite Grenoble Alpes, Grenoble, France

[3] CEA-IRIG, Universite Grenoble Alpes, Grenoble, France

来源：

ESSCIRC 2022 - IEEE 48th European Solid State Circuits Conference, Proceedings | 2022年

关键词：

Number:; -; Acronym:; ERC; Sponsor: European Research Council; 951852; H2020; Sponsor: Horizon 2020 Framework Programme;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Qubits

引用

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