Hot-carrier reliability and performance study of transistors with variable gate-to-drain/source overlap

被引：0

作者：

Devoge, P. ^{[1
,2
,3
]}

Aziza, H. ^{[2
]}

Lorenzini, P. ^{[3
]}

Masson, P. ^{[3
]}

Julien, F. ^{[1
]}

Marzaki, A. ^{[1
]}

Malherbe, A. ^{[1
]}

Delalleau, J. ^{[1
]}

Cabout, T. ^{[4
]}

Regnier, A. ^{[1
]}

Niel, S. ^{[4
]}

机构：

[1] STMicroelectronics, Rousset, France

[2] Aix-Marseille University, CNRS, IM2NP UMR 7334, Marseille, France

[3] University of Côte d'Azur, Polytech'Lab UPR UCA 7498, Sophia-Antipolis, France

[4] STMicroelectronics, Crolles, France

来源：

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Reliability

引用