Analysis of Retention Failure by Bulk Trap in DRAM

被引：0

作者：

Han, Dongguk ^{[1
]}

Yang, Hoonchang ^{[1
]}

Hwang, Jinyeong ^{[1
]}

Kim, Jinseon ^{[1
]}

Cho, Kyoungrak ^{[1
]}

Nam, Incheol ^{[1
]}

Kim, Daesun ^{[1
]}

Lee, Beomseop ^{[1
]}

Yim, Sungsoo ^{[1
]}

Hong, Heeil ^{[1
]}

Lee, Jooyoung ^{[1
]}

机构：

[1] DRAM Product Engineering Team, Memory Division, Samsung Electronics Co., Ltd, 1-1, Samsungjeonja-ro, Gyeonggi-do, Hwaseong City,18448, Korea, Republic of

来源：

Conference Proceedings from the International Symposium for Testing and Failure Analysis | 2022年 / 2022-October卷

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Dynamic random access storage

引用

页码：362 / 364