Modeling of Quad-Parallel Bipolar Transistors in the 300 GHz Band

被引：0

作者：

Tokyo University of Science, Department of Electrical Engineering, Chiba, Japan ^{[1
]}

不详 ^{[2
]}

机构：

来源：

Asia Pacif Microwave Conf Proc APMC | 2022年 / 752-754期

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Si-Ge alloys

引用