Noise characteristics and modeling of silicon-on-insulator insulated-gate pn-junction devices

被引：0

作者：

Wakita, Shigeyuki ^{[1
]}

Omura, Yasuhisa ^{[1
]}

机构：

[1] High-Technology Research Center, Faculty of Engineering, Kansai University

来源：

Technology Reports of Kansai University | 2002年 / 44卷

关键词：

Anode theory - Conventional theory - Hooge model - Pn-junction devices;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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