Electron and hole proximity effects in the InAs/AlSb/GaSb system

被引:0
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作者
机构
[1] Roslund, Jöran H.
[2] Saito, Ken
[3] Suzuki, Kyoichi
[4] Yamaguchi, Hiroshi
[5] 1,Hirayama, Yoshiro
来源
Roslund, Joran H. | 1600年 / JJAP, Tokyo, Japan卷 / 39期
关键词
D O I
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