Report from India

被引：0

作者：

Bericht M. ^{[1
]}

Rao N. ^{[1
]}

机构：

[1] Navi Mumbai, India

来源：

Galvanotechnik | 2024年 / 115卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1021/acsami.3cl1564

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Zweidimensionale (2D) Halbleiter haben sich aufgrund ihrer einzigarti- gen atomaren Schichtstruktur und ihrer speziellen Oberfläche als viel- versprechende Kandidaten erwiesen. Die klassischen Si-Metalloxid-Halb- leiter-Feldeffekttransistoren (MOS- FET) leiden unter diesem Nachteil. 2D-Halbleiter wie einlagiges MOS, haben aufgrund ihrer außergewöhn- lichen elektronischen und optischen Eigenschaften große Aufmerksamkeit auf sich gezogen.

引用

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