Effect of ion beam irradiation on metal silicon junctions

被引：0

作者：

机构：

[1] Virdi, G.S.

[2] Singh, J.

[3] Kabiraj, D.

[4] Avasthi, D.K.

[5] George, P.J.

[6] Nath, N.

来源：

Virdi, G.S. (virdi@ceeri.ernet.in) | 2001年 / Minerals, Metals and Materials Society卷 / 30期

关键词：

Annealing - Current voltage characteristics - Ion beams - Ion implantation - Irradiation - Rutherford backscattering spectroscopy - Semiconducting silicon;

D O I：

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