Investigation of the breakdown characteristics of SOI gate controlled hybrid transistors

被引:0
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作者
机构
[1] Huang, Ru
[2] Zhang, Xing
[3] Wang, Yangyuan
来源
Huang, Ru | 2000年 / Chinese Institute of Electronics, Beijing, China卷 / 09期
关键词
Compendex;
D O I
暂无
中图分类号
学科分类号
摘要
9
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