Monte Carlo simulation of low energy He+, Ar+, Xe+ bombardment in SiC

被引：0

作者：

Jin, Shi-Sheng ^{[1
]}

Zhu, Lin-Shan ^{[1
]}

Gou, Fu-Jun ^{[1
,2
]}

Xie, Quan ^{[1
]}

机构：

[1] Department of Electronic Science and Information Technology, Guizhou University, Guiyang 550025, China

[2] The Leiden Institute of Chemistry, 2300 RA Leiden, Netherlands

来源：

Gongneng Cailiao/Journal of Functional Materials | 2007年 / 38卷 / 10期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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