Dislocation climb in c-plane ALN films

被引：0

作者：

Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, Cambridge CB2 3QZ, United Kingdom ^{[1
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机构：

来源：

Appl. Phys. Express | 1882年 / 6卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Sapphire - Aluminum nitride - Metallorganic vapor phase epitaxy - Film growth - III-V semiconductors

引用