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Dislocation climb in c-plane ALN films
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作者
:
Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, Cambridge CB2 3QZ, United Kingdom
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Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, Cambridge CB2 3QZ, United Kingdom
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机构
:
来源
:
Appl. Phys. Express
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1882年
/ 6卷
关键词
:
Compilation and indexing terms;
Copyright 2024 Elsevier Inc;
D O I
:
暂无
中图分类号
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学科分类号
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摘要
:
Sapphire - Aluminum nitride - Metallorganic vapor phase epitaxy - Film growth - III-V semiconductors
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