Dislocation climb in c-plane ALN films

被引:0
作者
Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, Cambridge CB2 3QZ, United Kingdom [1 ]
机构
来源
Appl. Phys. Express | 1882年 / 6卷
关键词
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D O I
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摘要
Sapphire - Aluminum nitride - Metallorganic vapor phase epitaxy - Film growth - III-V semiconductors
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