RF-SOI modeling: An accuracy body-contact RF-LDMOSFET large-signal model

被引：0

作者：

Microelectronic CAD Center, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310037, China ^{[1
]}

机构：

来源：

Pan Tao Ti Hsueh Pao | 2007年 / 11卷 / 1786-1793期

关键词：

MOSFET devices;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1786 / 1793