Electrical characterisation of high-k materials prepared by atomic layer CVD

被引：0

作者：

Carter, R.J. ^{[1
]}

Cartier, E. ^{[2
]}

Caymax, M. ^{[1
]}

De Gendt, S. ^{[1
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Degraeve, R. ^{[1
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Groeseneken, G. ^{[1
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Heyns, M. ^{[1
]}

Kauerauf, T. ^{[1
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Kerber, A. ^{[2
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Kubicek, S. ^{[1
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Lujan, G. ^{[1
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Pantisano, L. ^{[1
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Tsai, W. ^{[2
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Young, E. ^{[2
]}

机构：

[1] IMEC, Belgium

[2] International Sematech c/o IMEC, Kapeldreef 75, Leuven,B-3001, Belgium

来源：

Extended Abstracts of International Workshop on Gate Insulator, IWGI 2001 | 2001年

关键词：

Compendex;

D O I：

967554

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Gate dielectrics - Low-k dielectric - Titanium nitride - Aluminum oxide - High-k dielectric - Atomic layer deposition - Deposits - Interfaces (materials) - Tin - Thin films - Zirconia - Alumina - Chemical vapor deposition

引用

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