Thermodynamic model of hydrogen-induced silicon surface layer cleavage

被引：0

作者：

Han, W. ^{[1
]}

Yu, J. ^{[1
]}

机构：

[1] Stt. Key Lab. Intgd. Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, China

来源：

| 1600年 / American Institute of Physics Inc.卷 / 89期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用