Design of broadband highly linear IQ modulator using a 0.5 μm E/D-PHEMT process for millimeter-wave applications

被引：0

作者：

IEEE ^{[1
]}

不详 ^{[2
]}

机构：

来源：

IEEE Microwave Compon. Lett. | / 7卷 / 491-493期

关键词：

Compendex;

D O I：

4538235

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Quadrature amplitude modulation - Modulators - High electron mobility transistors - Electron mobility

引用