Interdiffusion induced changes in the photoluminescence of In XGa1-XAs/GaAs quantum dots interpreted

被引:0
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作者
Biswas, Dipankar [1 ]
Kumar, Subindu [1 ]
Das, Tapas [1 ]
机构
[1] Institute of Radiophysics and Electronics, University of Calcutta, 92 A. P. C. Road, Kolkata 700009, India
来源
Journal of Applied Physics | 2007年 / 101卷 / 02期
关键词
16;
D O I
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摘要
Journal article (JA)
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