Epitaxial growth of Al-doped β-FeSi2 on Si by ion beam synthesis

被引：0

作者：

机构：

[1] Maeda, Yoshihito

[2] Terai, Yoshikazu

[3] Itakura, Masaru

来源：

Maeda, Y. (ymaeda@vega.energy.kyoto-u.ac.jp) | 1600年 / Japan Society of Applied Physics卷 / 44期

关键词：

D O I：

暂无

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