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Analytical model for polysilicon quantization in MOS devices
被引：0
作者：
机构：
[1] Dai, Yuehua
[2] Chen, Junning
[3] Ke, Daoming
[4] Sun, Jiae
[5] Xu, Chao
来源：
Dai, Y.
|
2005年
/
Science Press卷
/
26期
关键词：
MOS devices;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
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