Polarization engineering in AlGaN/GaN heterostructure

被引：0

作者：

Xue, Fangshi ^{[1
]}

机构：

[1] National Key Laboratory of Monolithic Integrated Circuits and Modules, Nanjing 210016, China

来源：

Guti Dianzixue Yanjiu Yu Jinzhan/Research and Progress of Solid State Electronics | 2008年 / 28卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Aluminum gallium nitride

引用

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