Microstructure of polycrystalline silicon films formed through explosive crystallization induced by flash lamp annealing

被引：0

作者：

Japan Advanced Institute of Science and Technology , 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, Japan ^{[1
]}

不详 ^{[2
]}

机构：

来源：

Jpn. J. Appl. Phys. | 1600年 / 4 PART 2卷

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用