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High mobility GaAs intrinsic epitaxial layer grown by MOCVD
被引：0
作者：
Li, Jian-Jun
Lian, Peng
Deng, Jun
Han, Jun
Guo, Wei-Ling
Shen, Guang-Di
机构：
来源：
Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics
|
2002年
/
23卷
/
06期
关键词：
D O I：
暂无
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