Morphology control for growth of thick epitaxial 4H SiC layers

被引：0

作者：

Zhang, J. ^{[1
]}

Ellison, A. ^{[1
]}

Janzén, E. ^{[1
]}

机构：

[1] Dept. of Phys. and Msrmt. Technology, Linköping University, SE-581 83 Linköping, Sweden

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D O I：

暂无

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