Design of InGaP/GaAs HBT microwave power amplifier

被引：0

作者：

Qian, Yongxue ^{[1
]}

Liu, Xunchun ^{[1
]}

机构：

[1] Microelectronics R and D Ctr., Chinese Acad. of Sci., Beijing 100029, China

来源：

Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors | 2003年 / 24卷 / 07期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Heterojunction bipolar transistors

引用

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