Ga adlayer governed surface defect evolution of (0001)GaN films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

被引：0

作者：

机构：

[1] [1,2,Koblmüller, Gregor

[2] Brown, Jay

[3] Averbeck, Robert

[4] Riechert, Henning

[5] Pongratz, Peter

[6] Speck, James S.

来源：

Koblmüller, G. | 1600年 / Japan Society of Applied Physics卷 / 44期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：28 / 32